中新網(wǎng)12月11日電 臺積電11日在美國華盛頓特區(qū)舉行的國際電子組件大會 (IEDM)中發(fā)表論文，宣布開發(fā)出同時支持模擬及數(shù)字集成電路的32納米制程技術，并成功試產(chǎn)出32納米2Mb靜態(tài)隨機存取記憶體(SRAM)，且已通過功能試驗。
據(jù)“中央社”報道，臺積電表示，成功開發(fā)出32納米制程技術，象征公司先進技術的開發(fā)邁向另一個新里程碑。
臺積電指出，開發(fā)出的低耗電量32納米制程技術，具備低待機耗電量晶體管、模擬及射頻功能、銅導線以及低介電系數(shù)材料導線等特色，適合用于生產(chǎn)可攜式產(chǎn)品所需的系統(tǒng)單晶片。
因應客戶不同市場需求，臺積電未來將提供包括數(shù)字、模擬、射頻以及高密度記憶體等多樣的32納米制程。
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