中新網(wǎng)1月27日電 美國新澤西州普林斯頓大學(xué)電機(jī)系華裔教授周郁去年發(fā)明的“雷射輔助刻塑”,日前被《財富》雜志渥爾夫納米報告(Wolfe Nanotech Report)評選為2002年度納米科技最具突破的發(fā)明。
渥爾夫納米報告是在訪問30位研究納米科技的專家后才決定獲獎人。該報告指出,周郁的發(fā)明改良傳統(tǒng)耗時的計算機(jī)芯片電路刻蝕法,使硅芯片制造產(chǎn)生突破性的發(fā)展,周郁得獎可謂實至名歸。
據(jù)美國世界日報報道,“雷射輔助刻塑”是將特制的鑄模套在硅晶圓上,投射20億分之一秒的激光脈沖波,融化后的晶圓依鑄模套的形狀完成刻塑,刻畫的線路直徑僅10納米寬(1納米為10億分之一米),且一片芯片生產(chǎn)的時間僅需10億分之一秒。
周郁公開這項科技時,在科學(xué)界引起震撼,因為該技術(shù)可將硅芯片上的晶體管密度提高達(dá)200倍,并將制造硅芯片的復(fù)雜流程簡化為一個環(huán)節(jié),該項周郁稱為“大規(guī)模集中線路”的方式,可使未來硅芯片規(guī)模將更小、成本更低,并使計算機(jī)的速度及內(nèi)存皆大幅提升。