AMD 45nm處理器特性：

AMD 45nm工藝的進步帶給核心以很大的改良空間。首先，AMD方面得以大幅擴充了三級緩存的容量，新一代Phenom II處理器的三級緩存容量擴充為6MB，相比前代Phenom處理器提升了2倍之多。其次，AMD也擁有了更多的空間用于芯片內(nèi)部的節(jié)能設(shè)計以及架構(gòu)改良。以AMD定位高端的Phenom II X4處理器為例。根據(jù)AMD官方公布的資料，Phenom II處理器核心代號Deneb，核心面積258平方毫米，內(nèi)置晶體管數(shù)量達到7.58億個，而前代核心代號Agena的Phenom X4處理器內(nèi)置了4.63億晶體管，核心面積就達到285平方毫米。正如前章節(jié)所言，浸潤蝕刻確實給AMD帶來了明顯的進步，使得AMD能夠在獲得體積更小，密度更高的芯片，而AMD也得以有空間給Phenom處理器增添更大的緩存容量，并且在核心的各個環(huán)節(jié)上進行有針對性的改良。


65nm Phenom核心（Agena）照片	45nm Phenom II（Deneb）核心照片

對于前代Phenom處理器的評價，一個重要的看法是其三級緩存受限于芯片的規(guī)模，無法達到預(yù)先設(shè)想的容量，2M的三級緩存對于四核心的Phenom處理器來說是最低而不是最合適的需求。此次Phenom II處理器的改進最明顯的地方就是三級緩存的大幅擴充，也算是圓了AMD芯片架構(gòu)設(shè)計師的一個心愿，達到了AMD處理器史無前例的6M容量，加上512K X4的二級緩存，二三級緩存的總?cè)萘亢嫌嬤_到8M，相比前代Phenom處理器提升達一倍，由此帶來的性能提升是相當(dāng)可觀的。

在二級緩存和三級緩存的設(shè)計上，AMD也進行了非常有成效的改進，緩存體系的延遲得以明顯降低，三級緩存的延遲降低了近兩個周期，系統(tǒng)可以更加快速的訪問海量的三級緩存，使得核心間的配合效率得以明顯提升，新加入的緩存預(yù)取則使得整體功耗平均下降達21%。

由于工藝的改進和架構(gòu)的大幅改良不便于同時發(fā)生，因此核心內(nèi)部架構(gòu)的改良并不是非常大，AMD統(tǒng)稱其為IPC（每時鐘周期執(zhí)行更多的指令）的提升，并且格外注重了各個模塊能耗控制設(shè)計上的改良。尤其是Cool'n'Quiet技術(shù)升級至3.0規(guī)范，讓處理器在運行狀態(tài)下及空負載狀態(tài)下最大幅度的節(jié)省了能源的消耗。